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Untersuchungen diffusionsinduzierter Defekte in GaP und GaSb mittels Transmissionselektronenmikroskopie formatIsbn:Softcover - 9783838611846 Genau genommen bin ich Vierling

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Genau genommen bin ich Vierling

nämlich auf der Basis einer handlungssemantischen Konzeption

Es ist dann Aufgabe des Staates

Nationalismus auf europäischer wie russischer Seite im 19

Untersuchungen diffusionsinduzierter Defekte in GaP und GaSb mittels Transmissionselektronenmikroskopie formatIsbn:Softcover - 9783838611846 Genau genommen bin ich VierlingInhaltsangabe: Einleitung: Die Verbindungshalbleiter GaP und GaSb finden wegen ihrer elektronischen Eigenschaften insbesondere Anwendung in der Opto und Mikroelektronik. Um zu einem besseren Verstndnis der zugrundeliegenden Mechanismen bei Zn Diffusion in GaP und GaSb zu gelangen, haben wir Diffusionsexperimente durchgefhrt. Die Diffusionsglhungen wurden an versetzungsfreien, intrinsischen GaP(001) und GaSb(001) Wafern in Quarzglasampullen unter

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